技术资料
制造商零件编号:MCH6661-TL-W
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 1.7A SOT363
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):88pF @ 10V
功率 - 最大值:800mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-SMD,扁平引线
供应商器件封装:SC-88FL/ MCPH6
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