制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：FET - 阵列

规格：MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6

封装：6-SMD

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

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原厂标准完整型号: MCH6626-TL-E

制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

功能总体简述: MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6

系列: -

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.6A，1A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 230 毫欧 @ 800mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1.4nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 105pF @ 10V

功率 - 最大值: 800mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 6-SMD，扁平引线

供应商器件封装: 6-MCPH

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MCH6606-TL-E

MCH6602-TL-E

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