技术资料
制造商零件编号:MCH6613-TL-E
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET N/P-CH 30V MCPH6
系列:-
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):350mA,200mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.7 欧姆 @ 80mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.58nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7pF @ 10V
功率 - 最大值:800mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-SMD,无引线
供应商器件封装:6-MCPH
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