技术资料
原厂标准完整型号: FW231A-TL-E
制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP
系列: -
FET 类型: 2 个 N 沟道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 8A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 23 毫欧 @ 8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 21nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1530pF @ 10V
功率 - 最大值: 2.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOP
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