技术资料
制造商零件编号:EFC4619R-TR
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH EFCP
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):-
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):-
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:4-XFBGA
供应商器件封装:4-EFCP (1.61x1.61)
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