EFC4618R-P-TR|安森美半导体(ON)代理分销

制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：FET - 阵列

规格：MOSFET 2N-CH EFCP1818

封装：*

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

（您可通过电话、邮件或QQ联系销售报价）

EFC4618R-P-TR技术资料下载

技术资料

原厂标准完整型号: EFC4618R-P-TR

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET 2N-CH EFCP1818

系列: -

FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能: 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）: -

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: -

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: -

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 25.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: -

功率 - 最大值: 1.6W

安装类型: *

封装/外壳: *

供应商器件封装: *

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