

技术资料
原厂标准完整型号: CPH6616-TL-E
制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A CPH6
系列: -
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2.5A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 105 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 5.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 187pF @ 10V
功率 - 最大值: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: 6-CPH
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