技术资料
制造商零件编号:BS108G
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):250mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8 欧姆 @ 100mA,2.8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):150pF @ 25V
功率 - 最大值:350mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体
供应商器件封装:TO-92-3
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