技术资料
制造商零件编号:3LP01M-TL-E
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10.4 欧姆 @ 50mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7.5pF @ 10V
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:3-MCP
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