技术资料
原厂标准完整型号: 3LP01C-TB-E
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET P-CH 30V 100MA CP
系列: -
FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 100mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 10.4 欧姆 @ 50mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 1.43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 7.5pF @ 10V
功率 - 最大值: 250mW
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商器件封装: *
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